キオクシアホールディングス について
事業別セグメント
従業員データ
（データ取得日 20250331）
グループ会社／子会社／関連会社（一部）
沿革
世界初のNAND型フラッシュメモリを発明
フラッシュメモリを量産
四日市工場（三重県）を設立
Sandiskグループとフラッシュメモリについて協業を開始
多値技術を利用した160ナノメートル1ギガビットNAND（2ビット/セル(MLC)）を製品化
汎用DRAM事業の撤退を決定
四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン(有)を設立
四日市工場で300mmクリーンルームである第3製造棟を稼動
3次元フラッシュメモリ技術を開発
四日市工場第4製造棟の竣工
4ビット/セル（QLC）をSandiskグループと共同開発
株式会社東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置
四日市工場第5製造棟の竣工
15nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産
48層積層プロセスを用いたBiCSFLASH™のサンプル出荷を開始
社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更
四日市工場の新第2製造棟の竣工
64層積層プロセスを用いた第3世代BiCSFLASH™のサンプル出荷を開始
メモリ事業分社化の方針決定
64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCSFLASH™のサンプル出荷を開始
旧東芝メモリ(株)を設立
株式会社東芝から、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業を会社分割により承継
株式会社東芝からの株式譲受により、国内会社3社海外会社3社を関係会社化
64層積層プロセスを用いたBiCSFLASH™を搭載したNVMe™SSD（「XG5シリーズ」）の出荷を開始
香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立
北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立
4ビット/セル（QLC）技術を用いたBiCSFLASH™を開発、試作品の提供を開始
96層積層プロセスを適用した第4世代BiCSFLASH™を試作
シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した3ビット/セル（TLC）のBiCSFLASH™の試作品の提供を開始
欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立
連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社よりメモリ関連事業を譲受
ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立
韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立
64層積層プロセスを用いたBiCSFLASH™を搭載したエンタープライズSSD（「PM5シリーズ」「CM5シリーズ」）のサンプル出荷を開始
中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立
連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社よりメモリ関連事業を譲受
岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表
東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化
東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社よりメモリ関連事業を譲受
東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受
東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社よりメモリ関連事業を譲受
OCZイスラエル（現キオクシアイスラエル社）、OCZストレージソリューションズ（現キオクシアテクノロジーUK社）を連結子会社化
東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ株式会社より取得し連結子会社化
岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手株式会社（現キオクシア岩手株式会社）を設立
株式会社東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の3社を関連会社化
東芝メモリエトワール株式会社（現キオクシアエトワール株式会社）を設立
64層積層プロセスを用いたBiCSFLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充
株式会社Pangeaは、旧東芝メモリ株式会社の全株式を譲渡
サーバー向けの新しいコンセプトのSASSSDを発売
株式会社Pangeaは、旧東芝メモリ株式会社と合併し、同日に「東芝メモリ株式会社」に社名変更（現キオクシア株式会社）
四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工
東芝メモリホールディングス株式会社（現キオクシアホールディングス株式会社）を設立
大容量データへの高速アクセスに対応した2テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）を開発
株式会社日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行
ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷を開始
新しいリムーバブルPCIe®/NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発
台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表
ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更
キオクシア株式会社北上工場（岩手県）第1製造棟の竣工
112層積層プロセスを適用した第5世代BiCSFLASH™を試作
キオクシア株式会社は、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化
キオクシア株式会社は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ株式会社に売却
キオクシア株式会社は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolidStateStorageTechnologyCorporationとその関係会社の全株式を取得
162層積層プロセスを適用した第6世代BiCSFLASH™を試作
キオクシア株式会社は、キオクシアアドバンスドパッケージ株式会社を吸収合併
PCIe®4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷
4ビット/セル（QLC）技術を用いたUFSVer.3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷
キオクシア株式会社は、中部東芝エンジニアリング株式会社の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング株式会社に社名変更
四日市工場第7製造棟の竣工
大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発
218層積層プロセスを適用した第8世代BiCSFLASH™を試作
横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働を開始
キオクシアエネルギー・マネジメント株式会社をキオクシア株式会社からの会社分割により設立
エンタープライズ・データセンター向けPCIe®5.0対応NVMe™SSDのサンプルを出荷
車載機器向けUFSVer.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷
メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設
第8世代BiCSFLASH™2TbQLC製品をサンプル出荷
北上工場第2製造棟の建屋完成
東京証券取引所プライム市場に株式を上場
4.8Gb/秒のNANDインターフェーススピードを実現する3次元フラッシュメモリ技術を発表
