不二見研磨材工業所を創立し、人造精密研磨材の生産を開始
不二見研磨材工業株式会社を設立
東京通信工業(株)(現ソニー(株))のゲルマニウム半導体基盤用研磨材ニーズに対応
本社を現在の所在地へ移転真空管、トランジスタ用絶縁材として高純度絶縁アルミナ生産開始
光学用硝子・板硝子向けのポリシング材FR[フジミレミロックス(酸化セリウム)]を生産開始
神奈川県川崎市に「東京技術センター」を開設
ゲルマニウムウェハー用ポリシング材[FS]を生産開始
シリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX]を発表
稲沢工場の操業開始
光学レンズ研削用の[FDP]を開発
シリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX]シリーズを開発
GaAsウェハー用ポリシング材[INSEC]シリーズを開発
プラスチックレンズ用研磨材[POLIPLA]を生産開始
「東京技術センター」を閉鎖
本社ビル完成
[COMPOL]シリーズを開発
ハードディスク用ポリシング材[MEDIPOL-N]シリーズを開発
FUJIMI CORPORATIONを米国イリノイ州に設立
各務原工場の操業開始
シリコンウェハー用精密研削砥石[FPW-E]シリーズを開発
FUJIMI AMERICA INC.を米国オレゴン州に設立
超高純度のシリコンウェハー用ポリシング材[GLANZOX3900] を開発
ディスク用ポリシング材[DISKLITE]シリーズを開発
国内関連会社3社を合併し、現社名に商号変更
ディスク用テクスチャー[DIATEC-GTX]シリーズを開発
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHD.をマレーシアに設立 CMP用スラリー[PLANERLITE]シリーズを開発
FUJIMI AMERICA INC.トゥアラタン工場(米国オレゴン州)の操業開始
各務東町工場の操業開始
物流センター稼働
FUJIMI CORPORATIONを100%子会社化
溶射材事業部棟操業開始
研究開発センター稼働
FUJIMI-MICRO TECHNOLOGY SDN. BHDクリム工場稼働
CMPスラリー(Cu用)[PLANERLITE-7000]シリーズを開発
耐衝撃WCサーメット溶射材[SURPREX W2010X]を発表
世界初、HVOF[高速フレーム溶射]による微粉末溶射システムの確立に成功
FUJIMI AMERICA INC. はFUJIMI CORPORATIONと合併し、商号をFUJIMI CORPORATIONに変更
FUJIMI EUROPE LIMITED (イギリス)およびFUJIMI EUROPE GMBH(ドイツ)を設立し営業開始
台湾竹北市に駐在員事務所を開設
本社工場を枇杷島工場に呼称変更
中国上海市に駐在員事務所を開設
各務東町工場第2棟の操業開始
韓国ソウル市に駐在員事務所を開設
研磨に適した新しい粒子「角状ナノアルミナ」の開発に成功
世界初、500℃から成膜可能な超硬溶射材料の開発に成功
FUJIMI EUROPE LIMITED(イギリス)はFUJIMI EUROPE GmbH(ドイツ)に移管
FUJIMI TAIWAN LIMITEDを台湾に設立
FUJIMI KOREA LIMITEDを韓国に設立
FUJIMI SHENZHEN TECHNOLOGY. CO., LTD.を中国に設立
先端技術研究所を設立
南興セラミックスを子会社化(出資比率75%)