電気通信機器および高周波応用機器の製造販売を主目的とする国際電気株式会社を設立
ゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置を受注し、半導体製造装置事業を開始
ゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置
世界で初めての高周波応用によるシリコン単結晶の性能測定用ライフタイム測定器と比抵抗測定器を開発
半導体製造装置における不純物拡散の研究を開始
半導体素子製造における不純物拡散の研究により拡散炉を開発
CVD装置を開発
アメリカのデラウェア州に現地法人Kokusai Electric Co., of America(現 Kokusai Semiconductor Equipment Corporation)を設立
ドイツのデュッセルドルフに現地法人Kokusai Electric Europe GmbH(現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH)を設立
150mmウェーハ対応のシリコン・エピタキシャル成長装置(DC-7000)を開発
縦型CVD拡散装置「VERTEX®」の発売を開始
150mmウェーハ対応の縦型CVD装置(VERTEX®-Ⅱ)を開発
国際電気システムサービス株式会社(現 株式会社国際電気セミコンダクターサービス)を設立
富山工場(現 富山事業所)操業開始
200mmウェーハ対応の縦型CVD装置(VERTEX®-Ⅲ)を開発
自然酸化膜を抑止するロードロック装置(VERTEX®-Ⅴ(C))を開発
富山工場(現 富山事業所)・トレーニングセンタ開設
大韓民国天安市に現地法人 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.を設立(連結子会社)
台湾に亜太國際電機股份有限公司を設立
300mmウェーハ対応の縦型拡散・CVD装置(ZESTONE®-Ⅲ)を開発
300mmウェーハ対応の枚葉CVD装置(ZESTONE®-Ⅶ)を開発
国際電気株式会社・日立電子株式会社・八木アンテナ株式会社が合併し、株式会社日立国際電気に商号変更
国際電気システムサービス株式会社が通信・情報部門を日立電子システムサービス株式会社に営業譲渡し、株式会社国際電気セミコンダクターサービスに商号変更
亜太國際電機股份有限公司が、Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.(現 科意半導体設備(上海)有限公司)を設立
次世代プロセス対応枚葉プラズマ窒化装置(MARORA®)を開発
Q-TAT (Quick-Turn Around Time)対応のQUIXACE®を開発
NEW QUIXACE® L/L (QLV2)を開発
高生産性アッシング・アニールTANDUO®を開発
Kook Je Electric Korea Co., Ltd.平澤工場を建設
QUIXACE ULTIMATE®を開発
Kook Je Electric Korea Co., Ltd.天安工場を拡張
高生産性縦型装置AdvancedAce®-300を開発
HKEホールディングス合同会社(現 当社)を東京都千代田区丸の内に設立
富山工場(現 富山事業所)剱館完成
HKEホールディングス合同会社(現 当社)からHKEホールディングス株式会社(現 当社)に組織変更
HKEホールディングス株式会社(現 当社)が株式会社日立国際電気を完全子会社化
会社分割により、株式会社日立国際電気の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングス株式会社(現 当社)が承継し、株式会社KOKUSAI ELECTRICに商号変更
当社の完全子会社となった株式会社日立国際電気の普通株式を20%ずつ、株式会社日立製作所およびHVJホールディングス株式会社へ売却し、非連結子会社化
本店を東京都千代田区丸の内から東京都千代田区神田へ移転
AdvancedAce®Ⅱを開発
高品質成膜・高性能半導体製造装置TSURUGI-C2® 剱®を開発
当社が株式会社日立国際電気の全株式をHVJホールディングス株式会社に売却し、株式会社日立国際電気を非子会社化
コーポレートスローガン「技術と対話で未来をつくる」を制定
新企業理念「KOKUSAI ELECTRIC Way」を制定
東京証券取引所「プライム市場」に上場